半桥逆变器实际上也是由两个单端正激式变换电路组合而成，其中，一个桥臂由两个特性相同、容量相等的电容器承担，每个电容器承受112的直流母线电压，另一桥臂由两个受脉宽调制（ PWM）信号控制驱动的半导体功率开关管承担，故称半桥变换器，即Half-Bridge Converters。控制功率器件开关的驱动信号互补，相差180。

    两个PWM驱动信号之间留有死压时间，防止信号扰动时导致两个功率开关器件同时导通，造成器件损坏及逆变失败。

　　C2的均压和电荷泄放电阻，并确保Ri =Rz，Cl一C2，制造过程中应对上述四个元件进行检测，挑选配对使用。功率开关器件通常在高频加热电源中使用场效应晶体管MOSFET及绝绦